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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 纳秒脉冲激光与薄膜相互作用瞬态过程分析及表面功能结构制备 学位论文 2016, 2016 亓东锋 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/06/20 纳秒脉冲激光  时间分辨技术  原位泵浦-探测技术  金属柔性透明电极  表面周期性结构  Si基半导体材料  Nanosecond pulse laser  Time-resolved image technology  In situ pump-probing  Flexible transparence conductive electrodes  Surface periodic structures  Si-based semi-conductive materials   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215 Dong, HW; Zhao, YW; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE