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Low Contact Resistivity and Interfacial Behavior of p-Type NbFeSb/Mo Thermoelectric Junction
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 14182
作者:
Shen, Jiajun
;
Wang, Zhenyi
;
Chu, Jing
;
Bai, Shengqiang
;
Zhao, Xinbing
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2019/12/26
thermoelectric materials
half-Heusler compounds
electrode
contact resistivity
interfacial microstructure
Ohmic contact
Devices with quantum dots
专利
专利号: US20190089129A1, 申请日期: 2019-03-21, 公开日期: 2019-03-21
作者:
LIANG, DI
;
KURCZVEIL, GEZA
;
BEAUSOLEIL, RAYMOND G.
;
FIORENTINO, MARCO
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/31
Conformal hexagonal-boron nitride dielectric interface for tungsten diselenide devices with improved mobility and thermal dissipation
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 11
作者:
Liu, Donghua
;
Chen, Xiaosong
;
Yan, Yaping
;
Zhang, Zhongwei
;
Jin, Zhepeng
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2019/04/18
Adhesion Promoter Apparatus and Method
专利
专利号: US20190025514A1, 申请日期: 2019-01-24, 公开日期: 2019-01-24
作者:
TSENG, CHUN-HAO
;
KUO, YING-HAO
;
CHENG, KAI-FANG
;
CHEN, HAI-CHING
;
BAO, TIEN-I
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Interface engineering for two-dimensional semiconductor transistors
期刊论文
NANO TODAY, 2019, 卷号: 25
作者:
Jiang, Bei
;
Yang, Zhenyu
;
Liu, Xingqiang
;
Liu, Yuan
;
Liao, Lei
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2019/12/05
2D materials
Field effect transistors
Contact
Dielectric
Surface charge transfer
Intercalation
Interface engineering for two-dimensional semiconductor transistors
期刊论文
Nano Today, 2019, 卷号: Vol.25, 页码: 122-134
作者:
Bei Jiang
;
Zhenyu Yang
;
Xingqiang Liu
;
Yuan Liu
;
Lei Liao
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2019/12/13
2D materials
Field effect transistors
Contact
Dielectric
Surface charge transfer
Intercalation
Interface engineering for two-dimensional semiconductor transistors
期刊论文
NANO TODAY, 2019, 卷号: Vol.25, 页码: 122-134
作者:
Jiang, B
;
Yang, ZY
;
Liu, XQ
;
Liu, Y
;
Liao, L
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/17
2D materials
Field effect transistors
Contact
Dielectric
Surface charge transfer
Intercalation
Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface
期刊论文
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者:
Ye TC(叶甜春)
;
Wang WW(王文武)
;
Zhou LX(周丽星)
;
Wang XL(王晓磊)
;
Xiang JJ(项金娟)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/20
一种半导体器件的制造方法
专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者:
王桂磊
;
李俊峰
;
刘金彪
;
赵超
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/03/27
Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9
作者:
Jiang, Shanshan
;
He, Gang
;
Liu, Mao
;
Zhu, Li
;
Liang, Shuang
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2019/06/10
electrical properties
forming gas annealing
high-k gate dielectrics
interface chemistry
metal-oxide-semiconductor capacitors
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