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The Characteristics of ESD Protection Device Based on Static Induction Thyristors
会议论文
International Conference on Sensors, Measurement and Intelligent Materials (ICSMIM 2012), Guilin, PEOPLES R CHINA, DEC 26-27, 2012
作者:
Yang, JH
;
Zhang, LJ
;
Zhao, FH
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/31
Electro-Static Discharge (ESD)
Static Induction Thyristors (SITh)
Robustness
Transmission Line Pulse (TLP) test
Potential Barrier Height Depedence on Biased Voltages of Static Induction Thyristors
会议论文
2012 IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference - ECCE Asia, IPEMC 2012, Harbin, China, June 2, 2012 - June 5, 2012
作者:
Jianhong Yang
;
Xiaoyan Sheng
;
Ying Wei
;
Xueyuan Cai
;
Feihu Zhao
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/09/25
Nuclear physics
Motion control
Power electronics
Thyristors
Anode currents
Biased voltage
Cathode currents
High frequency circuits
Numerical simulators
Potential barrier height
SITh
Static induction thyristors
Static inductions
Switching characteristics
Working frequency
表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究
期刊论文
半导体技术, 2010, 期号: 4, 页码: 325-328
作者:
季涛
;
杨利成
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
表面型
双注入效应
势垒
鞍点
静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 11, 页码: 1088-1091
作者:
张荣
;
刘肃
;
李海蓉
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
负阻转折特性
双注入
高电平
复合效应
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 6, 页码: 546-548
作者:
岳红菊
;
刘肃
;
王永顺
;
李海蓉
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
埋栅结构
台面刻蚀
栅阴击穿
表面缺陷
静电感应晶闸管的I-V特性物理分析
期刊论文
电力电子技术, 2008, 期号: 12, 页码: 23-25
作者:
魏万印
;
刘肃
;
李海蓉
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/04/27
晶闸管
伏安特性/双注入
空间电荷限制效应
An SIT-BJT Operation Model for SITh in the Blocking State
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 645-649
作者:
Yang JH(杨建红)
;
Wang ZX(汪再兴)
;
Li SY(李思渊)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
SIT-BJT等效模型
电流放大因子
Current amplification factor
Numerical simulation
SIT-BJT model
Static induction thyristor (SITh)
Theoretical analysis
Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 461-466
作者:
Wang YS(王永顺)
;
Li HR(李海蓉)
;
Wu R(吴蓉)
;
Li SY(李思渊)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
电力静电感应晶闸管
反向转折
电子-空穴等离子体
寿命
注入水平
Electron hole plasma
Injection level
Lifetime
Power static induction thyristor (SITH)
Reverse snapback phenomena (RSP)
静电感应晶闸管的负阻转折特性
期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 1, 页码: 54-56
作者:
唐莹
;
刘肃
;
李思渊
;
胡冬青
;
常鹏
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提交时间:2015/04/27
SITH
负阻转折特性
少子寿命
大注入
电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高
期刊论文
兰州大学学报, 2005, 期号: 5, 页码: 3
作者:
胡冬青
;
李思渊
;
王永顺
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
电力SITH
阻断电压
阳极造型
关断损耗
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