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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning   Investigation of charge-carrier injection characteristics in NPB/Alq3 heterojunction devices 期刊论文 chemical physics, 2006, 卷号: 325, 期号: 2, 页码: 225-230 Chen JS; Ma DG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/08/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES  INTERNAL ELECTRIC-FIELD  CONJUGATED POLYMERS  HOPPING CONDUCTION  MULTILAYER  MODEL  EMISSION   Analysis of potential distribution and current-voltage characteristic in polyimide Langmuir-Blodgett films 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2001, 卷号: 40, 期号: 7, 页码: 4575-4580 作者:  Li, CQ;  Noguchi, Y;  Wu, HC;  Iwamoto, M 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 interface  MIM element  Richardson-Schottky model  current-voltage characteristic  LB film   EFFECT OF REVERSE-BIAS ANNEALING AND ZERO-BIAS ANNEALING ON A HYDROGEN-CONTAINING AU/(N-TYPE GAAS) SCHOTTKY-BARRIER 期刊论文 Physical Review B, 1993, 卷号: 48, 期号: 24, 页码: 17986-17994 M. H. Yuan; H. Z. Song; S. X. Jin; H. P. Wang; Y. P. Qiao; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/14 metal-semiconductor interfaces  electrical-properties  110 surfaces  n-type  states  diodes  contacts  height  model  heterojunctions   EFFECTS OF HYDROGEN ON THE SCHOTTKY-BARRIER OF TI/N-GAAS DIODES 期刊论文 Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 1, 页码: 536-538 S. X. Jin; L. P. Wang; M. H. Yuan; J. J. Chen; Y. Q. Jia; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/14 crystalline semiconductors  si