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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Diffusion-limited dissolution of spherical particles: A critical evaluation and applications of approximate solutions 期刊论文 AICHE JOURNAL, 2017, 卷号: 63, 期号: 7, 页码: 2926-2934 作者:  Guo, Xiaoling;  Sietsma, Jilt;  Yang, Yongxiang;  Sun, Zhi;  Guo, Muxing 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/07/17 Diffusion-limited Dissolution  Kinetics  Invariant-field Approximation  Reverse-growth Approximation  Invariant-size Approximation   A-调和逼近方法和具有可控增长条件的非线性椭圆方程组最优内部部分正则性 学位论文 2006, 2006 李颖颖 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/02/14 非线性椭圆方程组  可控增长条件  调和逼近技巧  最优部分正则性  Nonlinear elliptic systems  controllable growth condition  optimal partial regularity   Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN