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Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/03/29
Ambipolar Transport
Field-effect Transistors
Ingaas Nanowires
Cmos-compatible Catalyst
Surface State
Near-infrared Photodetection
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
Modulating Electrical Performances of In2O3 Nanofiber Channel Thin Film Transistors via Sr Doping
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 10
作者:
Song, Longfei
;
Luo, Linqu
;
Li, Xuan
;
Liu, Di
;
Han, Ning
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2019/06/14
enhancement mode
high performance
In2O3 nanofiber
inverter
Sr element
Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors
会议论文
1st IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, ICTA 2018, November 21, 2018 - November 23, 2018
作者:
Yang, Wenjing
;
Li, Yuan
;
Wang, Bo
;
Qian, He
;
Chen, Jiezhi
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/31
Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in silicon junctionless nanowire transistors
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 107303
作者:
Yang-Yan Guo
;
Wei-Hua Han
;
Xiao-Song Zhao
;
Ya-Mei Dou
;
Xiao-Di Zhang
;
Xin-Yu Wu
;
Fu-Hua Yang
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/08/05
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang YM(杨育梅)
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/11/13
Ballistics
Dielectric materials
Drain current
Gate dielectrics
MOSFET devices
Poisson equation
Shims
Direct current performance
High- k
junctionless
Junctionless transistors
Non-equilibrium green functions
Nonequilibrium green function formalisms
Quantum simulators
Subthreshold characteristics
Controlled Growth of Heterostructured Ga/GaAs Nanowires with Sharp Schottky Barrier
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 4438-4444
作者:
Wang, Zhou
;
Wang, Ying
;
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Zaixing
;
Yin, Yanxue
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2018/10/11
High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3 nanofiber networks
期刊论文
NANO RESEARCH, 2018, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 1227-1237
作者:
Zhang, Hongchao
;
Meng, You
;
Song, Longfei
;
Luo, Linqu
;
Qin, Yuanbin
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2018/06/11
In2o3 Nanofiber
Transistor
Doping
Threshold Voltage
Enhancement Mode
Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 41, 页码: 415203
作者:
Wenyuan Yang
;
Dong Pan
;
Rui Shen
;
Xinzhe Wang
;
Jianhua Zhao
;
Qing Chen
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/11/18
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