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Bottom-Gate Approach for All Basic Logic Gates Implementation by a Single-Type IGZO-Based MOS Transistor with Reduced Footprint 期刊论文
ADVANCED SCIENCE, 2020, 卷号: 7, 期号: 6
作者:  Qi, Shaocheng;  Cunha, Joao;  Guo, Tian-Long;  Chen, Peiqin;  Zaccaria, Remo Proietti
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/12/16
Coplanar Multigate MoS2 Electric-Double-Layer Transistors for Neuromorphic Visual Recognition 期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 31, 页码: 25943-25948
作者:  Xie, Dingdong;  Jiang, Jie*;  Hu, Wennan;  He, Yongli;  Yang, Junliang
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/03
The Impact of Self-Heating on HCI Reliability in High-Performance Digital Circuits 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Jiang, Hai; Shin, SangHoon; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing; Alam, Muhammad Ashraful
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
Impact of quantum confinement on transport and the electrostatic driven performance of silicon nanowire transistors at the scaling limit 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017
Al-Ameri, Talib; Georgiev, Vihar P.; Sadi, Toufik; Wang, Yijiao; Adamu-Lema, Fikru; Wang, Xingsheng; Amoroso, Salvatore M.; Towie, Ewan; Brown, Andrew; Asenov, Asen
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
A Digital Multigate Doppler Method for High Frequency Ultrasound 期刊论文
SENSORS, 2014
作者:  Weibao Qiu;  Zongying Ye;  Yanyan Yu;  Yan Chen;  Liyang Chi
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/09/02
多栅器件的形成方法 专利
专利号: US8466028, 申请日期: 2013-06-18, 公开日期: 2013-01-03
作者:  殷华湘;  徐秋霞;  陈大鹏
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/12/16
Light-emitting diode 专利
专利号: EP0197719A2, 申请日期: 1986-10-15, 公开日期: 1986-10-15
作者:  BURNHAM, ROBERT D.;  PAOLI, THOMAS L.;  THORNTON, ROBERT L.;  SPRAGUE, ROBERT A.
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Investigations of Fin Vertical Nonuniformity Effects on Junction less Multigate Transistor (CPCI-S收录) 会议论文
2012 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT-2012)
作者:  Lou, Haijun[1];  Li, Binghua[1];  Lin, Xinnan[1];  He, Jin[2];  Chan, Mansun[3]
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