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MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/09/17
Effects of hydrogen etching on stress control in AlN interlayer inserted GaN MOVPE on Si 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: Vol.32 No.7, 页码: 075003
作者:  Cai Liu;  Akihito Kumamoto;  Michihiro Suzuki;  Hongbo Wang;  Hassanet Sodabanlu
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/03/01
Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/01/11
VECSEL  MOVPE  InGaAs  
Quantum Chemistry Study on the Adduct Reaction Paths as Functions of Temperature in GaN/AlN MOVPE Growth 期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: P667-P673
作者:  Zuo, Ran[1];  Zhang, Hong[2];  Wang, Bao-liang[3];  Meng, Su-ci[4];  Chen, Peng[5]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展 期刊论文
2013
陈航洋; 刘达艺; 李金钗; 林伟; 杨伟煌; 庄芹芹; 张彬彬; 杨闻操; 蔡端俊; 李书平; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/17
高Al组分III族氮化物结构材料及其深紫外LED 学位论文
2013, 2013
陈航洋
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/01/13
AlGaN结构材料光学各向异性及非线性光学性质调控 学位论文
2013, 2013
姜伟
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/01/13
Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012, 卷号: 209, 期号: 10, 页码: 2041
Huang, SL; Ji, ZW; Zhao, MW; Zhang, L; Guo, HY; Liu, BL; Xu, XG; Guo, QX
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17
高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料 期刊论文
2012
张彬彬; 李书平; 李金钗; 蔡端俊; 陈航洋; 刘达艺; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:  
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