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射频功率LDMOS器件的鲁棒性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  李浩
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/09/05
New thermal optimization scheme of power module in solid-state amplifier 期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 7
作者:  Sun, Lie-Peng;  Yuan, Zhen-Yu;  Zhang, Cheng;  Xu, Xian-Bo;  Miao, Jun-Gang
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/11/10
A compact LDMOS DDSCR for HV ESD protections with high robustness and reliability 期刊论文
Solid-State Electronics, 2019, 卷号: Vol.161, 页码: 107640
作者:  Zhuojun Chen;  Wenzhao Lu;  Ming Wu;  Wei Peng;  Yuanyuan Hu
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13
Numerical and Experimental Investigation of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of 400-V SOI NLDMOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 页码: 710-715
作者:  Shu, Lei;  Wang, Liang;  Zhou, Xin;  Li, Tong-De;  Yuan, Zhang-Yi'an
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30
Investigation of a novel SOI LDMOS using p+ buried islands in the drift region by numerical simulations 期刊论文
2018, 卷号: 17, 页码: 646-652
作者:  Lei, Jianmei[1];  Hu, Shengdong[2];  Yang, Dong[2];  Huang, Ye[2];  Yuan, Qi[2]
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/30
Investigation of a novel SOI LDMOS using p plus buried islands in the drift region by numerical simulations 期刊论文
2018, 卷号: 17, 页码: 646-652
作者:  Lei, Jianmei[1];  Hu, Shengdong[2,3];  Yang, Dong[2,3];  Huang, Ye[2,3];  Yuan, Qi[2,3]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/30
Ruggedness Characterization of Bonding Wire Arrays in LDMOSFET-Based Power Amplifiers 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 8, 页码: 1032-1041
作者:  Lin, Liang;  Hua, Yu-Jie;  Zhou, Liang;  Wu, Qi;  Mao, Junfa
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30
An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars 期刊论文
2017, 卷号: 112, 页码: 269-278
作者:  Yang, Dong[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Huang, Ye[1,2];  Yuan, Qi[1,2]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28
A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate 期刊论文
2017, 卷号: 109, 页码: 134-144
作者:  Cheng, Kun[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Yuan, Qi[1,2];  Jiang, Yuyu[1,2]
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/11/28
Simulation-based performance analysis of an ultra-low specific on-resistance trench SOI LDMOS with a floating vertical field plate 期刊论文
2017, 卷号: 16, 页码: 83-89
作者:  Cheng, Kun[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Jiang, Yuyu[1];  Yuan, Qi[1];  Yang, Dong[1]
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/28

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