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| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
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| 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
作者: 高雪; 周坤; 孙逸; 冯美鑫; 刘建平
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| 低维InGaN/GaN材料发光特性研究 学位论文
2016, 2015
赵婉茹
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| InGaN低维材料载流子动力学研究及及GaN基绿光垂直腔面发射激光器制作 学位论文
2016, 2015
翁国恩
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 专利
专利号: CN105048284A, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2015-11-11
作者: 郑锦坚; 李志明; 邓和清; 寻飞林; 杜伟华
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| Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells 期刊论文
中国物理B：英文版, 2015, 期号: 02
作者: 王强[1,2]; 冀子武[1]; 王帆[1]; 牟奇[1]; 郑雨军[1]
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| 核/壳结构量子点的可控合成和发光性质及LED制备研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
徐威
收藏 | 浏览/下载：54/0 | 提交时间：2014/08/21 |
| GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
李增成
收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2014/05/30
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| InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究 期刊论文
2014
王宇; 张江勇; 余健; 应磊莹; 张保平
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法 专利
专利号: CN103296168A, 申请日期: 2013-09-11, 公开日期: 2013-09-11
作者: 王怀兵; 王辉; 黄强
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