|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105449522B, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
作者: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
作者: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
作者: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利
专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
作者: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105811243B, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军; 刘宗顺
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
作者: 高雪; 周坤; 孙逸; 冯美鑫; 刘建平
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
smliu@semi.ac.cn
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2017/06/05
|
| 提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构 专利
专利号: CN106784181A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
