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半导体研究所 [9]
西安光学精密机械研究... [2]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [11]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [2]
2013 [2]
2004 [2]
2003 [4]
2002 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [4]
半导体材料 [3]
Physics, A... [1]
电子、电信技术::光... [1]
电子、电信技术::半... [1]
电子、电信技术::半... [1]
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InGaAs-MSM photodetector with low dark current
期刊论文
guangzi xuebao/acta photonica sinica, 2015, 卷号: 44, 期号: 6
作者:
Yan, Xin
;
Wang, Tao
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/02
大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
闫欣
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浏览/下载:163/0
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提交时间:2015/05/20
红外探测器
InGaAs
MSM
MOCVD
暗电流
Micro-Ramanstudy on chirped InGaAs–InAlAs superlattices
期刊论文
Phys. Status Solidi A, 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2364-2368
Yongzheng Hu, Lijun Wang , Fengqi Liu,Jinchuan Zhang, Junqi Liu,and Zhanguo Wang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/02/12
InGaAs–InAlAs superlattices
micro-Raman
phonons
quantum cascade lasers
strain
Micro-Raman study on chirped InGaAs-InAlAs superlattices
期刊论文
physica status solidi (a), 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2364–2368
Yongzheng Hu, Lijun Wang, Fengqi Liu, Jinchuan Zhang, Junqi Liu andZhanguo Wang
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提交时间:2014/05/08
Optical characteristics of inas quantum dots capped with short period gaas/inas superlattices and ingaas combination layers
期刊论文
Solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 6, 页码: 421-424
作者:
Gong, Z
;
Fang, ZD
;
Xu, XH
;
Miao, ZH
;
Niu, ZC
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dot
Superlattice
Molecular beam epitaxy
Photoluminescence
Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1012-1016
Fang, ZD
;
Gong, Z
;
Miao, ZH
;
Kong, LM
;
Xu, XH
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:149/47
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提交时间:2010/03/09
PHOTOLUMINESCENCE
Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled inas/gaas quantum dots
期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 31, 页码: 5383-5388
作者:
Gong, Z
;
Fang, ZD
;
Xu, XH
;
Miao, ZH
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
LASERS
WAVELENGTH
SEPARATION
LINEWIDTH
PROPERTY
GAIN
Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 31, 页码: 5383-5388
Gong Z
;
Fang ZD
;
Xu XH
;
Miao ZH
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:231/7
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提交时间:2010/08/12
1.35 MU-M
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 2003, 期号: 1-2, 页码: 27-33
Fang, ZD
;
Gong, Z
;
Miao, ZH
;
Xu, XH
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:47/14
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提交时间:2010/03/09
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEPARATION
WAVELENGTH
LASERS
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