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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利
专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者: 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐
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| 一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109888611A, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-06-14
作者: 朱刚毅; 李佳平; 王永进
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| 半导体微腔激光器的制备方法和半导体 专利
专利号: CN109286131A, 申请日期: 2019-01-29, 公开日期: 2019-01-29
作者: 张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪
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| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174
作者: 许佳佳; 黄敏; 徐庆庆; 徐志成; 王芳芳
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| 苯—甲醇高效烷基化催化剂构效关系研究 学位论文
2019
作者: 董鹏
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法 专利
专利号: CN107817554A, 申请日期: 2018-03-20, 公开日期: 2018-03-20
作者: 刘鹏程; 李明; 闫海涛; 张豪杰; 黄宁博
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