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| 一种硅衬底上的III族氮化物层 专利
专利号: CN109887997A, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-06-14
作者: 顾伟
  收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| III族氮化物半导体激光器的照明与通信特性研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 杨杰
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/11/19 |
| 单根氧化锌微米线基异质结发光二极管研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 刘洋
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/08/24
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| 具有低阀值电流的半导体激光二极管 专利
专利号: CN109428264A, 申请日期: 2019-03-05, 公开日期: 2019-03-05
作者: 亚力克斯 约丁; 谷善彦; 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特; 伊藤茂稔
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 半导体激光设备组件 专利
专利号: CN104143762B, 申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者: 河野俊介; 仓本大; 幸田伦太郎
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 氮化物半导体发光器件及其制作方法 专利
专利号: CN108305918A, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| AlGaN基深紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂研究 学位论文
2016, 2016
刘松青
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/06/20
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| III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究 学位论文
2016, 2016
曾凡明
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
曾清
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2016/05/31
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