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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉 收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利 专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16 作者: 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐 收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 三维硅基微型储能系统纳米阵列阳极的制备及特性研究 学位论文 2017, 2016 岳闯 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2017/06/20
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| ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文 半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者: 操神送; 杜云辰; 朱龙源; 兰添翼; 赵水平 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2018/11/20
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| AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬 收藏  |  浏览/下载:73/0  |  提交时间:2016/06/01
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| 量子点光子晶体激光器的理论研究与工艺制备 期刊论文 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2016, 期号: 3 作者: 邢恩博 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2017/09/17
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| 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 专利 专利号: CN103915757A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09 作者: 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 刘长江 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18 |