×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [16]
清华大学 [5]
兰州大学 [4]
上海微系统与信息技术... [4]
力学研究所 [2]
长春应用化学研究所 [2]
更多...
内容类型
期刊论文 [33]
会议论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [3]
2014 [2]
2013 [1]
2011 [4]
2010 [6]
2009 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [9]
半导体物理 [7]
chemistry [2]
Chemistry,... [1]
Crystallog... [1]
Materials ... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共37条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Tri-state bipolar resistive switching behavior in a hydrothermally prepared epitaxial BiFeO3 film
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 649, 页码: 694-698
作者:
Gao, CX
;
Lv, FZ
;
Zhang, P
;
Zhang, C
;
Zhang, SM
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/01/13
Hydrothermal epitaxy
BiFeO3(BFO)
Pt/BFO/Nb:SrTiO3(Pt/BFO/NSTO)
Tri-state bipolar resistive switching behavior
ZnGeN2 and ZnGeN2:Mn2+ phosphors: hydrothermal-ammonolysis synthesis, structure and luminescence properties
期刊论文
journal of materials chemistry c, 2015, 卷号: 3, 期号: 36, 页码: 9306-9317
作者:
Shang,Mengmeng
;
Wang,Jing
;
Fan,Jian
;
Lian,Hongzhou
;
Zhang,Yang
收藏
  |  
浏览/下载:67/0
  |  
提交时间:2016/05/12
LIGHT-EMITTING-DIODES
TEMPERATURE-DEPENDENT EMISSION
SOLID-SOLUTION PHOSPHORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
YELLOW LUMINESCENCE
WHITE LEDS
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES
MN2&-ACTIVATED PHOSPHORS
ELECTRONIC STATES
Bipolar resistive switching behavior of CaTiO3 films grown by hydrothermal epitaxy
期刊论文
RSC ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 51, 页码: 40714-40718
作者:
Lv, FZ
;
Gao, CX
;
Zhang, P
;
Dong, CH
;
Zhang, C
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/01/13
Hydrothermal epitaxy and resultant properties of EuTiO3 films on SrTiO3(001) substrate
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 卷号: 9, 页码: -
作者:
Lv, FZ
;
Zhang, J
;
Gao, CX
;
Ma, L
;
Gao, DQ
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/05/25
EuTiO3 films
Hydrothermal growth
Epitaxy
Multiferroics
Tuning unexpected room temperature ferromagnetism in heteroepitaxial PbTiO3 thin films fabricated by hydrothermal epitaxy: crystal quality
期刊论文
RSC ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 105, 页码: 61046-61050
作者:
Zhang, J
;
Yang, ZL
;
Lv, FZ
;
Gao, CX
;
Xue, DS
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2016/03/29
Sb2Te3 nanoplates: Preparation, reaction mechanism and electrochemical property
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2013, 卷号: Vol.565, 页码: 73-78
作者:
Tian, Yu-Peng
;
Zhang, Sheng-Yi
;
Yang, Jun-Song
;
Yang, Jia-Xiang
;
Zuo, Peng-Fei
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/04/24
LARGE-SCALE SYNTHESIS
ATOMIC LAYER EPITAXY
THIN-FILMS
THERMOELECTRIC PROPERTIES
HYDROTHERMAL SYNTHESIS
SOLVOTHERMAL SYNTHESIS
NANOWIRES
GROWTH
COEFFICIENTS
NANOBELTS
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:51/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals
会议论文
16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14), Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/04/01
Convection
Fluid flow
Growth models
Ammonothermal growth
GaN
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:100/6
  |  
提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace