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Investigation of catalyst-assisted growth of nonpolar GaN nanowires via a modified HVPE process
期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 4393-4399
作者:
Zhang, Cai
;
Liu, Xiaoyuan
;
Li, Jing
;
Zhang, Xinglai
;
Yang, Wenjing
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/02/03
Freestanding GaN substrate enabled by dual-stack multilayer graphene via hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 526, 页码: 146747
作者:
Jie Su
;
Dongdong Liang
;
Yun Zhao
;
Jiankun Yang
;
Hongliang Chang
;
Ruifei Duan
;
Junxi Wang
;
Lianfeng Sun
;
Tongbo Wei
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/05/24
High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 128, 期号: 15, 页码: 155705
作者:
Shuo Zhang
;
Xinran Zhang
;
Fang Ren
;
Yue Yin
;
Tao Feng
;
Wurui Song
;
Guodong Wang
;
Meng Liang
;
Jianlong Xu
;
Jianwei Wang
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Xiaoyan Yi
;
Zhiqiang Liu
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/05/24
Growth of high-quality GaN crystals on a BCN nanosheet-coated substrate by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2019, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1302-1308
作者:
Zhang, Baoguo
;
Wu, Yongzhong
;
Zhang, Lei
;
Huo, Qin
;
Hu, Haixiao
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/11
Ultra long lifetime gallium arsenide
专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者:
SCHUNEMANN, PETER G.
;
ZAWILSKI, KEVIN T.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/24
Growth of low-threading-dislocation-density GaN on graphene by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017
作者:
He, Shunyu
;
Xu, Yu
;
Qi, Lin
;
Li, Zongyao
;
Cao, Bing
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/02/05
Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
作者:
Su, Xujun(苏旭军)
;
Zhang, Jicai(张纪才)
;
Huang, Jun(黄俊)
;
Zhang, Jinping(张锦平)
;
Wang, Jianfeng(王建峰)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/02/05
HVPE of aluminum nitride, film evaluation and multiscale modeling of the growth process
会议论文
作者:
Pons, M.
;
Su, J.
;
Chubarov, M.
;
Boichot, R.
;
Mercier, F.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/11/26
Stresses
Hydride Vapor Phase Epitaxy
Aluminum nitride
Computer simulation
Chemical vapor deposition
Mass transfer
Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674
作者:
Gu, H(顾泓)
;
Ren, GQ(任国强)
;
Zhou, TF(周桃飞)
;
Tian, FF(田飞飞)
;
Xu, Y(徐俞)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/11
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