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Investigation of catalyst-assisted growth of nonpolar GaN nanowires via a modified HVPE process 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 4393-4399
作者:  Zhang, Cai;  Liu, Xiaoyuan;  Li, Jing;  Zhang, Xinglai;  Yang, Wenjing
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Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:  X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06
Suppressing the luminescence of V cation -related point -defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN 期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 520, 页码: 9
作者:  K. Jiang,X. J. Sun,J. W. Ben,Z. M. Shi,Y. P. Jia,Y. Chen,S. L. Zhang,T. Wu,W. Lu and D. B. Li
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者:  陈辰;  宋杰;  崔周源
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者:  陈辰;  宋杰;  崔周源
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
水平三层流 HVPE反应室流场和热场数值模拟计算研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  胡君
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/19
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/08/24
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法 专利
专利号: CN109378369A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
作者:  陈辰;  宋杰;  崔周源
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:  K.Jiang;  X.J.Sun;  J.W.Ben;  Z.M.Shi;  Y.P.Jia
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