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Enhanced cold wall CVD reactor growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes
期刊论文
ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 12, 页码: 329-337
作者:
Mu, Wei[1]
;
Kwak, Eun-Hye[2]
;
Chen, Bingan[3]
;
Huang, Shirong[4]
;
Edwards, Michael[5]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/26
horizontally aligned
SWCNTs
cold-wall
hot-wall
CVD
synthesis
单双层石墨烯的制备及电导特性调控
期刊论文
2014
吴雅苹
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/05/17
石墨烯
化学气相沉积
电子结构
第一性原理计算
graphene
chemical vapor deposition
electronic structure
the first-principles calculations
Structural and photoelectrical characteristics of Si/6H-SiC heterojunctions prepared by hot-wall chemical vapor deposition
期刊论文
2013, 卷号: 16, 页码: 1765-1768
作者:
Yang, Chen
;
Chen, Zhiming
;
Liu, Weiguo
;
Zeng, Xierong
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
Si/SiC heterojunction
CVD
Structure properites
Electrical properties
Single-crystal SnO2 nanoshuttles: shape-controlled synthesis, perfect flexibility and high-performance field emission
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2011, 卷号: 22, 期号: 50
Li, JJ
;
Chen, MM
;
Tian, SB
;
Jin, AZ
;
Xia, XX
;
Gu, CZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/24
CONTROLLED GROWTH
SILICON NANOWIRES
DIAMETER
ARRAYS
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
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浏览/下载:63/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
收藏
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浏览/下载:105/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:
Li JB
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浏览/下载:61/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
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SEMICONDUCTORS
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