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The effect of nonideal boundary condition on instability of THz plasma waves in quantum field-effect transistors 期刊论文
AIP Advances, 2022, 卷号: 12, 期号: 3
作者:  Zhang, Li-Ping;  Liu, Chen-Xiao;  Feng, Jiang-Xu;  Su, Jun-Yan
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/04/21
A 220-to 299-GHz CMOS Terahertz Detector 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES, 2019, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 606-619
作者:  Li WF(李惟帆);  Liu PX(刘鹏翔);  Wang YL(汪业龙);  Qi F(祁峰);  Liu ZY(刘朝阳)
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/06/18
A 220-to 299-GHz CMOS Terahertz Detector 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES, 2019, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 606-619
作者:  Liu ZY(刘朝阳);  Qi F(祁峰);  Wang YL(汪业龙);  Liu PX(刘鹏翔);  Li WF(李惟帆)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/06/18
Coherent Transport in a Linear Triple Quantum Dot Made from a Pure-Phase InAs Nanowire 期刊论文
NANO LETTERS, 2017
Wang, Ji-Yin; Huang, Shaoyun; Huang, Guang-Yao; Pan, Dong; Zhao, Jianhua; Xu, H. Q.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
Fabrication and optimization of a high speed deep-trench super-junction MOSFET with improved EMI performance 其他
2016-01-01
Fei Wang; Min-Zhi Lin; Yuan-Lin Yuan; Lei Liu; Yuhua Cheng; Peng-Fei Wang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
Gate Engineering in SOI LDMOS for Device Reliability 其他
2016-01-01
Aanand; Sheu, Gene; Imam, Syed Sarwar; Lu, Shao Wei; Aryadeep, Chirag; Yang, Shao Ming
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/12/03
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19
作者:  罗军;  赵超
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/09/19
Comprehensive performance re-assessment of TFETs with a novel design by gate and source engineering from device/circuit perspective 其他
2015-01-01
Huang, Qianqian; Huang, Ru; Wu, Chunlei; Zhu, Hao; Chen, Cheng; Wang, Jiaxin; Guo, Lingyi; Wang, Runsheng; Ye, Le; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
Formation of long single quantum dots in high quality InSb nanowires grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
NANOSCALE, 2015
Fan, Dingxun; Li, Sen; Kang, N.; Caroff, Philippe; Wang, L. B.; Huang, Y. Q.; Deng, M. T.; Yu, C. L.; Xu, H. Q.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US8710556, 申请日期: 2014-04-29, 公开日期: 2011-07-07
作者:  尹海洲;  梁擎擎;  骆志炯;  朱慧珑
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