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Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7479-7483
作者:
Hao, Meilan
;
Wang, Quan
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Chen, Changxi
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HEMT
Pulsed I-V
Trapping
Gate OFF-State Stress
Fe-Doped
Buffer
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, XD(张晓东)
;
Deng, XG(邓旭光)
;
Li, SM(李水明)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/11
Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Fu, K(付凯)
;
Deng, XG(邓旭光)
;
Zhang, XD(张晓东)
;
Fan, YM(范亚明)
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2015/12/31
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)
standard fluorine ion implantation
normally off
Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 074008-1-074008-6
作者:
Zheng, Qiwen
;
Yu, Xuefeng
;
Cui, Jiangwei
;
Guo, Qi
;
Cong, Zhongchao
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/11/11
silicon-on-insulator
hot-carrier effect
hump
back gate
Correlation between MR-DCIV Current and High-Voltage-Stress-Induced Degradation in LDMOSFETs
其他
2013-01-01
He, Yandong
;
Han, Lin
;
Zhang, Ganggang
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
TRANSISTORS
Degradation of Amorphous Silicon Thin Film Transistors Under Negative Gate Bias Stress
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2011
Zhou, Dapeng
;
Wang, Mingxiang
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/12
Amorphous silicon (a-Si)
gate bias stress
thin-film transistors (TFTs)
THRESHOLD VOLTAGE SHIFT
INSTABILITY MECHANISMS
MODEL
The degradation of p-MOSFETs under off-state stress
期刊论文
microelectronics journal, 2001
Yang, CY
;
Wang, Z
;
Tan, CH
;
Xu, MZ
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
degradation
p-MOSFETs
off-state stress
GIDL
DRAIN LEAKAGE CURRENT
DEVICES
关态应力下P-MOSFETs的退化
期刊论文
半导体学报, 2001
杨存宇
;
王子欧
;
谭长华
;
许铭真
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
关态应力
栅感应漏电(GIDL)
界面陷阱
HCI
Degradation of P-MOSFETs under of-state stress
期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001
Yang, C.Y.
;
Wang, Z.O.
;
Tan, C.H.
;
Xu, M.Z.
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/12
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