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半导体研究所 [6]
物理研究所 [1]
理论物理研究所 [1]
长春应用化学研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
1998 [4]
1997 [1]
1994 [1]
1993 [1]
1992 [1]
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学科主题
半导体物理 [4]
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光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS
The transient transmission through a quantum dot under the influence of oscillating external fields
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1998, 卷号: 10, 期号: 16, 页码: 3569-3579
作者:
Lin, TH
;
Sun, QF
;
Sun, QF , Peking Univ, Dept Phys, Mesoscop Phys Lab, Beijing 100871, Peoples R China.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/08/29
Double-barrier Structure
Time-dependent Transport
Frequencies
Wells
Thz
Formation mechanism of electric field domains
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 1998, 卷号: 15797, 页码: 733
Sun, BQ
;
Liu, ZX
;
Jiang, DS
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/09/17
Formation mechanism of electric field domains
期刊论文
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 15797, 期号: 0, 页码: 733-737
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
electric field domains
Gamma-Gamma resonant tunnelling
Gamma-X resonant tunnelling
Formation mechanism of electric field domains
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
electric field domains
Gamma-Gamma resonant tunnelling
Gamma-X resonant tunnelling
Mossbauer spectra of Fe-57 in a thick film of YBa2(Cu0.97Fe0.03)(3)O7-x irradiated by a large dose of gamma-rays
期刊论文
physica c, 1997, 卷号: 288, 期号: 3-4, 页码: 226-230
Jin MZ
;
Liu XW
;
Liu ML
;
Xu J
;
Liu R
;
Jia YQ
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浏览/下载:118/0
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提交时间:2010/12/22
TEMPERATURE
YBA2(CU1-XFEX)3O7-Y
SUPERCONDUCTOR
SPECTROSCOPY
DIFFRACTION
SYSTEM
STATE MIXING IN INAS/GAAS QUANTUM DOTS AT THE PRESSURE-INDUCED GAMMA-X CROSSING
期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 24, 页码: 18420-18425
LI GH
;
GONI AR
;
SYASSEN K
;
BRANDT O
;
PLOOG K
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/11/17
DIAMOND-ANVIL CELL
HYDROSTATIC-PRESSURE
ELECTRONIC-STRUCTURE
OPTICAL-PROPERTIES
GAAS MATRIX
SUPERLATTICES
SPECTROSCOPY
TRANSITION
EXCITONS
INTERVALLEY-GAMMA-CHI DEFORMATION POTENTIALS IN III-V ZINCBLENDE AND SI SEMICONDUCTORS BY AB-INITIO PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
期刊论文
communications in theoretical physics, 1993, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 159-170
WANG JQ
;
GU ZQ
;
LI MF
;
LAI WY
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS
LATTICE-DYNAMICAL PROPERTIES
SCATTERING RATES
STRUCTURAL-PROPERTIES
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ELECTRON-PHONON
GAAS
SPECTROSCOPY
POINTS
TIN
INTERVALLEY GAMMA-CHI DEFORMATION POTENTIALS IN III-V ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS BY ABINITIO PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
期刊论文
physical review b, 1992, 卷号: 46, 期号: 19, 页码: 12358-12364
WANG JQ
;
GU ZQ
;
LI MF
;
LAI WY
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
LATTICE-DYNAMICAL PROPERTIES
SCATTERING RATES
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GALLIUM-PHOSPHIDE
ELECTRON-PHONON
GAAS
SPECTROSCOPY
POINTS
ZONE
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