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Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者:
J. Z. Liu
;
M. C. Tang
;
H. W. Deng
;
S. Shutts
;
L. F. Wang
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提交时间:2023/06/14
Modulation Characteristics of High-Speed Transistor Lasers
期刊论文
Applied Sciences-Basel, 2022, 卷号: 12, 期号: 9, 页码: 21
作者:
L. T. Fan
;
P. Jia
;
Y. X. Lei
;
Q. Cui
;
Y. Y. Chen
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提交时间:2023/06/14
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
期刊论文
New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16
作者:
P. Steindl
;
E. M. Sala
;
B. Alen
;
D. Bimberg and P. Klenovsky
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提交时间:2022/06/13
Effect of Substrate Misorientation on the Structural and Optical Characteristics of In-Rich InGaAs/GaAsP Quantum Wells
期刊论文
Applied Sciences-Basel, 2021, 卷号: 11, 期号: 18, 页码: 15
作者:
Z. W. Li
;
Y. G. Zeng
;
Y. Song
;
J. W. Zhang
;
Y. L. Zhou
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提交时间:2022/06/13
Experimental investigation of spontaneous emission characteristics of InGaAs-based indium-rich cluster-induced special quantum structure
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2020, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 5
作者:
M. Zheng,Q. N. Yu,H. X. Tai,J. W. Zhang,Y. Q. Ning and J. Wu
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提交时间:2021/07/06
Study of Charge Distributions and Electrical Properties in GaAs/AlGaAs Single Quantum Well/Nanowire Heterostructures
期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2019
作者:
Li, Chen
;
Cheng, Yongfa
;
Li, Bang
;
Cheng, Feng
;
Li, Luying
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提交时间:2019/12/05
Temperature-dependent photoluminescence characterization of compressively strained AlGaInAs quantum wells
期刊论文
Materials Research Bulletin, 2019, 卷号: 115, 页码: 196-200
作者:
Y.Song
;
L.G.Zhang
;
Y.G.Zeng
;
Y.Y.Chen
;
L.Qin
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提交时间:2020/08/24
Al0.07Ga0.22In0.71As quantum wells,Optical properties,Metal organic,chemical vapor deposition,Photoluminescence,Full width at half maximum,thermal-expansion,carrier localization,gaas,scattering,origin,model,shift,Materials Science
Static and Dynamic Characteristics of In(AsSb)/GaAs Submonolayer Lasers
期刊论文
Ieee Journal of Quantum Electronics, 2019, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 7
作者:
D.Quandt
;
D.Arsenijevic
;
A.Strittmatte
;
D.H.Bimberg
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提交时间:2020/08/24
Submonolayer (SML),quantum dot (QD),laser diode,high-speed modulation,quantum-well lasers,dot lasers,gain,threshold,Engineering,Physics,Optics
InGaAs/GaAsP strain quantum well spatial light modulator with low voltage and high contrast ratio
期刊论文
Optik, 2019, 卷号: 182, 页码: 139-143
作者:
Y.B.Li
;
Y.W.Huang
;
Y.Q.Ning
;
L.J.Wang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/08/24
Spatial light modulator (SLM),Asymmetric Fabry-Perot cavity,Multiple-quantum wells,Electro-optical device,Optical communication,electroabsorption modulators
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
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