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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results 会议论文 2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018-01-01 作者:  Zhang Haipeng;  Geng Lu;  Lin Mi;  Zhang Zhonghai;  Lu Weifeng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 InGaN/GaN/AlGaN  High voltage RTD  ESD protection  GaN/InGaN-based devices and ICs  United quantum regulation