QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Bismuth-induced band-tail states in GaAsBi probed by photoluminescence 期刊论文 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: Vol.114 No.5, 页码: 052104 作者:  Bing Yan;  Xiren Chen;  Liangqing Zhu;  Wenwu Pan;  Lijuan Wang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 15008 作者:  Zhu Sixin;  Qiu Weiyang;  Wang Han;  Lin Tie;  Chen Pingping 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/11/13 GaAsBi  Raman spectroscopy  LO-phonon-plasmon-modes  Hole density  Hall measurements   Band Structure and Optical Gain of InGaAs/GaAsBi Type-II Quantum Wells Modeled by the k . p Model 期刊论文 Chinese Physics Letters, 2018, 卷号: Vol.35 No.5, 页码: 057801 作者:  Chang Wang;  Wenwu Pan;  Kolokolov, K.;  Shumin Wang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 Optical properties and band bending of ingaas/gaasbi/ingaas type-ii quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of applied physics, 2016, 卷号: 120, 期号: 10, 页码: 6 作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Li, Yaoyao;  Chen, Xiren 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/09 Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots 期刊论文 Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Wang,Peng;  Pan,Wenwu;  Wu,Xiaoyan;  Liu,Juanjuan;  Cao,Chunfang 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/09 Inas  Quantum dot  Gaasbi  Mbe  Thermal stability   Lattice distortion of GaAsBi alloy grown on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2006, 卷号: 45, 期号: 1A, 页码: 67-69 作者:  Takehara, Y;  Yoshimoto, M;  Huang, W;  Saraie, J;  Oe, K 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/09 Gaasbi  Semimetal-semiconductor Alloy  X-ray Diffraction  Lattice Distortion  Molecular Beam Epitaxy  Rutherford Backscattering