×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
近代物理研究所 [4]
北京航空航天大学 [1]
新疆理化技术研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2020 [1]
2018 [2]
2015 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381
作者:
Cai, Chang
;
Liu, Tianqi
;
Zhao, Peixiong
;
Fan, Xue
;
Huang, Hongyang
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2022/01/19
D filp-flops (DFFs)
heavy ions
radiation hardening
single-event upsets (SEUs)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]
;
Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2018/09/27
Charge Sharing
Single-event Upset (Seu)
Static Random Access Memory
Total Ionizing Dose (Tid)
Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2015, 卷号: 26, 页码: 7
作者:
Duan Jing-Lai
;
En Yun-Fei
;
Xi Kai
;
Mo Dan
;
Luo Jie
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/05/31
Azimuth
Dual interlocked cell
Multiple-bit upset
Single event upset
Nonvolatile Radiation Hardened DICE Latch
会议论文
2015 15TH NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM (NVMTS), 2015-01-01
作者:
Pang, Tingting
;
Kang, Wang
;
Ran, Yi
;
Zhang, Youguang
;
Lv, Weifeng
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2020/01/06
Dual interlocked storage cell (DICE)
nonvolatility
single event upset (SEU)
radiation hardened design
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace