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Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited AlO on silicon using deep-level transient spectroscopy
期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 卷号: Vol.30 No.2, 页码: 1148-1152
作者:
Zhe Chen
;
Peng Dong
;
Meng Xie
;
Yun Li
;
Xuegong Yu
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/17
Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al2O3 on silicon using deep-level transient spectroscopy
期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 卷号: Vol.30 No.2, 页码: 1148-1152
作者:
Chen, Zhe
;
Dong, Peng
;
Xie, Meng
;
Li, Yun
;
Yu, Xuegong
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/17
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions
期刊论文
Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Guo, Chun-Sheng
;
Wang, Ruo-Min
;
Zhang, Yu-Wei
;
Pei, Guo-Xi
;
Feng, Shi-Wei
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/04/23
Electron irradiation
Deep level transient spectroscopy (dlts)
Minority carrier life time
Silicon diode
Characterization of InGaN by Means of I-V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS
期刊论文
ARABIAN JOURNAL FOR SCIENCE AND ENGINEERING, 2015, 卷号: 40, 页码: 263-268
作者:
Asghar, H. M. Noor ul Huda Khan
;
Gilani, Zaheer Abbas
;
Awan, M. S.
;
Ahmad, I.
;
Tan, Yi
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/09
Semiconducting indium gallium nitride materials
I-V characteristics
Deep-level transient spectroscopy ( DLTS) of the material
Light-emitting diode
The Si nanocrystal trap center studied by deep level transient spectroscopy
期刊论文
Journal of Nanomaterials, 2014, 卷号: Vol.2014
作者:
Lv, Tiezheng
;
Zhao, Lili
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)
期刊论文
Journal of Nanomaterials, 2014, 卷号: Vol.2014
作者:
Lv, TZ
;
Zhao, LL
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/31
Deep level transient spectroscopy system designed by LabVIEW
会议论文
2013 International Conference on Advances in Materials Science and Manufacturing Technology, AMSMT 2013, 2013-05-18
作者:
Zhou, Jie[1]
;
Wang, Lin Jun[2]
;
Sun, Xiao Xiang[3]
;
Teng, Jia Qi[4]
;
Yao, Bei Ling[5]
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/04/30
Electronic properties and deep level transient spectroscopy of CdS/CdTe thin film solar cells
期刊论文
Chinese Physics.B, 2011, 卷号: 第20卷, 页码: P037103(1)-037103(4)
作者:
Li Bing
;
Feng Lianghuan
;
Wang Zhao
;
Zheng Xu
;
Zheng Jiagui
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/02/28
CdTe electrical properties deep level transient spectroscopy
Electronic properties and deep level transient spectroscopy of CdS/CdTe thin film solar cells
期刊论文
中国物理:英文版, 2011, 卷号: 第20卷, 页码: 378-381
作者:
Li B(黎兵)
;
Feng LH(冯良桓)
;
Wang Z(王钊)
;
Zheng X(郑旭)
;
Zheng JG(郑家贵)
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提交时间:2019/03/26
CdTe多晶薄膜
深能级瞬态谱
薄膜太阳能电池
CdS
电子性质
CdTe太阳电池
近空间升华
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