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Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:
Zheng, Wei-Min
;
Cong, Wei-Yan
;
Li, Su-Mei
;
Wang, Ai-Fang
;
Li, Bin
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2019/12/11
coupled mode
Raman spectrum
delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum
wells
Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells
期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:
Zheng, Wei-Min
;
Cong, Wei-Yan
;
Li, Su-Mei
;
Wang, Ai-Fang
;
Li, Bin
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2019/12/11
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Liang, S.
;
Zhu, L.
;
Li, W. D.
收藏
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浏览/下载：20/0
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提交时间：2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Chemistry
Xps Electrical Properties
Cmos Devices
Terahertz electroluminescence from Be delta-doped GaAs/AlAs quantum well
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 2
作者:
Li, Su Mei
;
Zheng, Wei Min
;
Wu, Ai Ling
;
Cong, Wei Yan
;
Liu, Jing
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2019/12/26
aluminium compounds
gallium compounds
high electron mobility
transistors
III-V semiconductors
impurities
wide band gap
semiconductors
Preparation and measurement of far-infrared electroluminescence emitter based on quantum confined acceptors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 4, 页码: 2728-2733
作者:
Liu Jing
;
Zheng Wei-Min
;
Song Ying-Xin
;
Chu Ning-Ning
;
Li Su-Mei
收藏
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2019/12/26
quantum confinement
electroluminescence
resonant tunneling effect
delta-doped GaAs/AlAs quantum wells
Terahertz electroluminescence from Be delta-doped GaAs/AlAs quantum well
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 2
作者:
Li, Su Mei
;
Zheng, Wei Min
;
Wu, Ai Ling
;
Cong, Wei Yan
;
Liu, Jing
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2019/12/26
Systematic study on the spacer-dependent magnetic properties of Mn delta-doped GaAs/(Ga, Mn) As ferromagnetic heterostructures: from first principles
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 页码: 25002
作者:
Wang XF(王晓芳)
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2011/07/14
Intra-acceptor hole relaxation in Be delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3975-3979
作者:
Li Su-Mei
;
Zheng Wei-Min
;
Song Ying-Xin
;
Liu Jing
;
Chu Ning-Ning
收藏
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浏览/下载：5/0
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提交时间：2019/12/26
carrier relaxation
multiple quantum well
intra-acceptor dynamics
pump-probe
Effect of quantum confinement on acceptor state lifetime in Be delta doped GaAs/AlAs multiple quantum wells
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 9, 页码: 6471-6476
作者:
Song Ying-Xin
;
Zheng Wei-Min
;
Liu Jing
;
Chu Ning-Ning
;
Li Su-Mei
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2019/12/26
Delta-doped
Far-infrared time-resolved spectra
Lifetime of acceptor state
Quantum confinement
A complex fourier transformation study of the contactless electroreflectance of an undoped-n(+) gaas structure
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 786-789
作者:
Jin, P
;
Pan, SH
;
Li, YG
;
Zhang, CZ
;
Wang, ZG
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浏览/下载：14/0
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提交时间：2019/05/12
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