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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Atomic-layer-deposited AlO passivation dependent interface chemistry, band alignment and electrical properties of HfYO/Si gate stacks 期刊论文 Journal of Materials Science & Technology, 2019, 卷号: Vol.35 No.5, 页码: 769-776 作者:  Die Wang;  Shuang Liang;  Fen Qiao;  Gang He 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/24 AlOpassivation  layer  Co-sputtering  HYO  films  Annealing  Electrical  properties  Conduction  mechanism   Atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 passivation dependent interface chemistry, band alignment and electrical properties of HfYO/Si gate stacks 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 769-776 作者:  Liang, Shuang[1];  He, Gang[2];  Wang, Die[3];  Qiao, Fen[4] 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/12/24 Al2O3 passivation layer  Co-sputtering HYO films  Annealing  Electrical properties  Conduction mechanism   Atomic-layer-deposited AlO passivation dependent interface chemistry, band alignment and electrical properties of HfYO/Si gate stacks 期刊论文 Journal of Materials Science & Technology, 2018 作者:  Die Wang;  Shuang Liang;  Fen Qiao;  Gang He 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 AlOpassivation  layer  Co-sputtering  HYO  films  Annealing  Electrical  properties  Conduction  mechanism