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Plausibility of ultraviolet burst generation in the low solar chromosphere
期刊论文
ASTRONOMY & ASTROPHYSICS, 2022, 卷号: 665
作者:
Ni L(倪蕾)
;
Cheng GC(程冠冲)
;
Lin J(林隽)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/10/08
magnetohydrodynamics (MHD)
magnetic reconnection
Sun: chromosphere
Sun: UV radiation
methods: numerical
radiation mechanisms: thermal
Ultrafast photothermoelectric effect in Dirac semimetallic Cd3As2 revealed by terahertz emission
期刊论文
Nature Communications, 2022, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 9
作者:
W. Lu
;
Z. P. Fan
;
Y. K. Yang
;
J. C. Ma
;
J. W. Lai
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2023/06/14
Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/03/29
Ambipolar Transport
Field-effect Transistors
Ingaas Nanowires
Cmos-compatible Catalyst
Surface State
Near-infrared Photodetection
Naphthalene diimide based near-infrared luminogens with aggregation-induced emission characteristics for biological imaging and high mobility ambipolar transistors
期刊论文
SCIENCE CHINA-CHEMISTRY, 2020, 页码: 10
作者:
Guo, De
;
Li, Lin
;
Zhu, Xianqi
;
Heeney, Martin
;
Li, Jing
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/08/24
aggregation induced emission (AIE)
naphthalene diimides (NDI)
near-infrared (NIR) solid emission
organic field effect transistors (OFETs)
bio-imaging
Enhanced linear magneto-resistance near the Dirac point in topological insulator Bi-2(Te1-xSex)(3) nanowires
期刊论文
NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1332-1338
作者:
Wei, LingNan
;
Wang, ZhenHua
;
Zhang, ZhiDong
;
Liu, Chieh-Wen
;
Gao, Xuan P. A.
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/02/02
Topological insulator
nanowire
ambipolar conduction
bismuth selenide
bismuth telluride
linear magneto-resistance
weak anti-localization
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 10705
作者:
Zhao, Mingxing
;
Xia, Wei
;
Wang, Yang
;
Luo, Man
;
Tian, Zhen
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2019/12/26
Nb2SiTe4
ambipolar transistor
mid-infrared
two-dimensional material
narrow gap
stability
Low Band Gap Donor-Acceptor Conjugated Polymers with Indanone-Condensed Thiadiazolo[3,4-g]quinoxaline Acceptors
期刊论文
MACROMOLECULES, 2019, 卷号: 52, 期号: 16, 页码: 6149-6159
作者:
Chen, Huajie
;
Cai, Guosheng
;
Guo, Ankang
;
Zhao, Zhiyuan
;
Kuang, Junhua
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2019/09/30
High-Efficiency Single-Component Organic Light-Emitting Transistors
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2019
作者:
Qin, Zhengsheng
;
Gao, Haikuo
;
Liu, Jinyu
;
Zhou, Ke
;
Li, Jie
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2019/09/30
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