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Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2021/03/29
Ambipolar Transport
Field-effect Transistors
Ingaas Nanowires
Cmos-compatible Catalyst
Surface State
Near-infrared Photodetection
Naphthalene diimide based near-infrared luminogens with aggregation-induced emission characteristics for biological imaging and high mobility ambipolar transistors
期刊论文
SCIENCE CHINA-CHEMISTRY, 2020, 页码: 10
作者:
Guo, De
;
Li, Lin
;
Zhu, Xianqi
;
Heeney, Martin
;
Li, Jing
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2020/08/24
aggregation induced emission (AIE)
naphthalene diimides (NDI)
near-infrared (NIR) solid emission
organic field effect transistors (OFETs)
bio-imaging
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038
作者:
Zhao, Hongquan
;
Yang, Yuhui
;
Wang, Chunxiang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2020/08/24
few-layer GeSe
field-effect transistors
photoresponse time
broadband photoresponse
direct band gaps
ambipolar behavior
Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 10705
作者:
Zhao, Mingxing
;
Xia, Wei
;
Wang, Yang
;
Luo, Man
;
Tian, Zhen
收藏
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2019/12/26
Nb2SiTe4
ambipolar transistor
mid-infrared
two-dimensional material
narrow gap
stability
High-Efficiency Single-Component Organic Light-Emitting Transistors
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2019
作者:
Qin, Zhengsheng
;
Gao, Haikuo
;
Liu, Jinyu
;
Zhou, Ke
;
Li, Jie
收藏
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浏览/下载:80/0
  |  
提交时间:2019/09/30
Polarity tuning of carbon nanotube transistors by chemical doping for printed flexible complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)-like inverters
期刊论文
CARBON, 2019, 卷号: 147, 页码: 566
作者:
Xiao, Hongshan
;
Xie, Huafei
;
Robin, Malo
;
Zhao, Jianwen
;
Shao, Lin
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/12/26
Printed electronics
Carbon nanotubes
Thin film transistors
Threshold voltage
Triethanolamine
Low power electronics
CMOS-like inverters
Optimizing the gas sensing properties of sandwich-type phthalocyaninato europium complex through extending the conjugated framework
期刊论文
DYES AND PIGMENTS, 2019, 卷号: 161, 页码: 240-246
作者:
Lu, Guang
;
Kong, Xia
;
Wang, Chiming
;
Zhao, Luyang
;
Qi, Dongdong
收藏
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浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2018/12/28
Quintuple-decker
Dimeric phthalocyanine-containing
Ambipolar
OFET
Gas sensing
Fast Deposition of Aligning Edge‐On Polymers for High‐Mobility Ambipolar Transistors
期刊论文
Advanced Materials, 2019, 卷号: Vol.31 No.2
作者:
Jiang, Y.a,b
;
Chen, J.a,b
;
Sun, Y.a,b
;
Li, Q.a,b
;
Cai, Z.c
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
ambipolar
bar coating
edge‐on polymers
organic field‐effect transistors
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