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Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:  Y. Chen;  H. Zang;  S. L. Zhang;  Z. M. Shi;  J. W. Ben
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Suppressing the luminescence of V cation -related point -defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN 期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 520, 页码: 9
作者:  K. Jiang,X. J. Sun,J. W. Ben,Z. M. Shi,Y. P. Jia,Y. Chen,S. L. Zhang,T. Wu,W. Lu and D. B. Li
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06
Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates 期刊论文
Materials Letters, 2020, 卷号: 281, 页码: 4
作者:  Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,H. Jiang,Z. M. Li and H. Song
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24
Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:  Qi Y
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The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7484-7488
作者:  Li Fangzheng;  Wang Lianshan;  Zhao Guijuan;  Meng Yulin;  Li Huijie;  Chen Yanan;  Yang Shaoyan;  Jin Peng;  Wang Zhanguo
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/11/15
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/09/17
A flexible and superhydrophobic upconversion-luminescence membrane as an ultrasensitive fluorescence sensor for single droplet detection 期刊论文
Light-Science & Applications, 2016, 卷号: 5
作者:  Liu, K. C.;  Z. Y. Zhang;  C. X. Shan;  Z. Q. Feng;  J. S. Li
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/09/11
Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8
P. F. Yan; K. Du; M. L. Sui
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2013/02/05
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12

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