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Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:
Qi Y
;
Wang YY
;
Pang ZQ(庞振乾)
;
Dou ZP
;
Wei TB
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2018/10/30
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:
Sun, Y.
;
Zhou, K.
;
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/09/17
x-ray-diffraction
high-power
gan
dislocation
relaxation
films
Optics
Reduction of threading dislocation density for AlN epilayer via a highly compressive-stressed buffer layer
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
作者:
Huang, Jun(黄俊)
;
Niu, Mu Tong(牛牧童)
;
Zhang, Ji Cai(张纪才)
;
Wang, Wei
;
Wang, Jian Feng(王建峰)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2018/02/06
The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:
Jahn, U
;
Musolino, M
;
Lahnemann, J
;
Dogan, P
;
Garrido, SF
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 671
作者:
Wang, K
;
Xing, YH
;
Han, J
;
Zhao, KK
;
Guo, LJ
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2017/03/11
Fast and uniform growth of graphene glass using confined-flow chemical vapor deposition and its unique applications
期刊论文
NANO RESEARCH, 2016
Chen, Zhaolong
;
Guan, Baolu
;
Chen, Xu-dong
;
Zeng, Qing
;
Lin, Li
;
Wang, Ruoyu
;
Priydarshi, Manish Kr.
;
Sun, Jingyu
;
Zhang, Zhepeng
;
Wei, Tongbo
;
Li, Jinmin
;
Zhang, Yanfeng
;
Zhang, Yingying
;
Liu, Zhongfan
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
graphene glass
confined-flow chemical vapor deposition
transparent heating device
epitaxial AlN film
FEW-LAYER GRAPHENE
HIGH-QUALITY
LARGE-AREA
EPITAXIAL GRAPHENE
METAL-CATALYST
BORON-NITRIDE
SINGLE-LAYER
FILMS
TRANSPARENT
SAPPHIRE
The function of a 60-nm-thick AlN buffer layer in n-ZnO/AlN/p-Si(111)
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 卷号: 10
作者:
Wu, Hao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
AlN buffer layer
Heterojunction
ALD
Band alignment
GaN Films Grown on Si (111) Substrates Using a Composite Buffer with Low Temperature AlN Interlayer
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 2
Fang, YT
;
Jiang, Y
;
Deng, Z
;
Zuo, P
;
Chen, H
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/04/14
Crack-free ultraviolet AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE on 6H-SiC(0001)
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 卷号: 70, 页码: 54-60
作者:
Wang, Dongsheng
;
Liang, Hongwei
;
Tao, Pengcheng
;
Zhang, Kexiong
;
Song, Shiwei
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/09
Distributed Bragg reflectors
Metal organic vapor phase epitaxy
Double AlN/AlGaN layer buffer
Ultraviolet
Buffer Layer for GaN-on-Si LED
专利
专利号: US20130056745A1, 申请日期: 2013-03-07, 公开日期: 2013-03-07
作者:
CHEN, ZHEN
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提交时间:2019/12/30
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