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偏振优化设计的大口径环形太阳望远镜光学系统 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:  付玉
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FinFET及其制造方法 专利
专利号: CN201210464915.9, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2014-05-28
作者:  朱慧珑
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/03/19
应变半导体沟道形成方法和半导体器件 专利
专利号: CN201010244987.3, 申请日期: 2014-02-12, 公开日期: 2012-02-08
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
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高K介质在新型电子器件中应用进展 会议论文
第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议, 武汉, 2012-11-02
作者:  黄安平;  郑晓虎;  肖志松;  王玫
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互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 专利
专利号: CN101740570A, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
作者:  王文武;  陈世杰
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/26
采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文) 期刊论文
半导体学报, 2006, 期号: 03
苏树兵; 刘训春; 刘新宇; 于进勇; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣
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Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究 期刊论文
物理学报, 2005, 期号: 12, 页码: 6
作者:  郭得峰;  耿伟刚;  兰伟;  黄春明;  王印月
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/04/27
一种高电催化活性的燃料电池铂基贵金属催化剂及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN03143681.1, 申请日期: 2005-02-09, 公开日期: 2005-02-09, 2011-07-11
辛勤; 周振华; 姜鲁华; 周卫江; 孙公权
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激光诱导放电复合毛化坑形貌与电极侵蚀问题研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2003
作者:  李正阳
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高K介质材料氧化镁的制备及其性质的研究 学位论文
作者:  马春雷
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