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静电感应晶闸管开通过程的研究 期刊论文
电力电子技术, 2011, 期号: 1, 页码: 106-108
作者:  聂政;  李思渊
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表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究 期刊论文
半导体技术, 2010, 期号: 4, 页码: 325-328
作者:  季涛;  杨利成
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静电感应晶闸管的负阻转折特性分析 期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 11, 页码: 1088-1091
作者:  张荣;  刘肃;  李海蓉
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台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响 期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 6, 页码: 546-548
作者:  岳红菊;  刘肃;  王永顺;  李海蓉
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静电感应晶闸管的I-V特性物理分析 期刊论文
电力电子技术, 2008, 期号: 12, 页码: 23-25
作者:  魏万印;  刘肃;  李海蓉
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An SIT-BJT Operation Model for SITh in the Blocking State 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 645-649
作者:  Yang JH(杨建红);  Wang ZX(汪再兴);  Li SY(李思渊)
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Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 461-466
作者:  Wang YS(王永顺);  Li HR(李海蓉);  Wu R(吴蓉);  Li SY(李思渊)
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静电感应晶闸管的负阻转折特性 期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 1, 页码: 54-56
作者:  唐莹;  刘肃;  李思渊;  胡冬青;  常鹏
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电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高 期刊论文
兰州大学学报, 2005, 期号: 5, 页码: 3
作者:  胡冬青;  李思渊;  王永顺
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静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟 期刊论文
半导体技术, 2002, 期号: 9, 页码: 68-71
作者:  薛伟东;  李思渊;  刘英坤;  刘英坤
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