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科研机构
兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1984 [1]
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MOSFET模型及其参数提取(下)
期刊论文
电子技术, 1984, 期号: 4, 页码: 18-20
作者:
唐金科
;
阮刚
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提交时间:2015/04/27
模型参数计算:6176
参数提取:4156
提取过程:3340
输出特性曲线:2843
击穿电压:2789
子程序包:2182
结电容:1966
模型计算:1868
实测:1768
微米:1517
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