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1y纳米微缩难度超预期 传三星暂缓平泽厂每月3万片扩产计划 科技动态
2018
作者:  yaoxn@llas.ac.cn
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高性能Au纳米晶半导体存储器的研制 学位论文
2016, 2016
许怡红
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一种闪存存储器及其制作方法 专利
专利号: CN201110410003.9, 申请日期: 2015-08-26, 公开日期: 2013-06-19
作者:  王永;  刘明;  王晨杰;  张满红;  刘璟
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Si基半导体-金属纳米晶制备及电荷存储性能研究 学位论文
2013, 2013
唐锐钒
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电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文) 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2012, 期号: 1, 页码: 1-4
倪鹤南; 吴良才; 宋志棠; 惠唇
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非挥发存储器的制备方法 专利
专利号: CN200810223345.8, 申请日期: 2010-11-10, 公开日期: 2009-04-01
作者:  李昊峰;  朱晨昕;  贾锐;  刘明;  王琴
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纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性 期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 6,70-74,90
作者:  管伟华;  胡媛;  李志刚;  龙世兵;  陈军宁
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同步辐射的基本知识 第五讲 同步辐射中的成像术及其应用(一) 期刊论文
理化检验(物理分册), 2009, 期号: 09
杨传铮; 程国峰; 黄月鸿
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埋嵌在高k介质中Ge纳米晶的制备及其电荷存储特性的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2005
王石冶  
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埋嵌在高k介质中Ce纳米晶的制备及其电荷储存特性的研究 学位论文
硕士, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2005
王石冶
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