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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片 期刊论文 中国材料进展, 2012, 期号: 8, 页码: 39 宋志棠 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/02/22 相变材料:7142  可逆相变:3188  数据保持:2380  纳米结构:2343  信息技术研究:2339  芯片:2187  相变机理:2121  微系统:2108  相变速度:2083  纳米尺度:2030