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| 22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 王保顺
  收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 赵京昊
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/07/15
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| 矩形FET中太赫兹波的传播 学位论文
2019
作者: 杜洪梅
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 半导体制造方法 专利
专利号: CN201310215647.1, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-12-17
作者: 朱慧珑 ; 殷华湘; 秦长亮
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/03/19 |
| 测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法 专利
专利号: CN201310286669.7, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2015-01-14
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2018/04/02 |
| 沟道长度对碳纳米管薄膜晶体管阈值电压的调控作用 期刊论文
真空科学与技术学报, 2017
董国栋; 夏继业; 孟虎; 田博元; 黄奇; 赵杰; 毛德丰; 刘晓惠; 方家; 梁学磊
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/12/03
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 余德昭
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2016/09/27
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者: 余德昭
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/27
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| 双栅无结型场效应晶体管的设计与优化 期刊论文
2016, 2016
李为民; 梁仁荣; 王敬; LI Weimin; LIANG Renrong; WANG Jing
收藏 | 浏览/下载：6/0 |
