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磁控溅射制备氢化硅薄膜及其特性研究 学位论文
工学博士: 中国科学院大学, 2014
王林青
收藏  |  浏览/下载:229/0  |  提交时间:2014/11/25
PECVD裂解SiCl4低温快速沉积氢化纳米晶硅薄膜的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
张林
收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2013/04/12
一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2011-04-20, 公开日期: 2011-04-20
成会明, 任文才, 刘碧录, 高力波 and 李世胜
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2013/06/06
一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2011-04-20, 公开日期: 2011-04-20
成会明, 任文才, 刘碧录, 高力波 and 李世胜
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2013/06/06
纳米柱4H-SiC雪崩光电二极管及PECVD法生长氢化非晶碳化硅的光电特性研究 学位论文
2011, 2011
洪荣墩
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一种磁控溅射制备氢化硅薄膜的方法 专利
申请日期: 2010-03-03,
作者:  马胜利;  王 利
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一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法 专利
申请日期: 2010-03-03,
作者:  马胜利;  张旭东
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/18
氢化硅碳薄膜制备及其光电性能研究 学位论文
2010
作者:  张旭东
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一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-08-18
作者:  于威[1];  傅广生[2];  孟令海[3];  腾晓云[4];  王春生[5]
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一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-08-18
作者:  于威[1];  路万兵[2];  傅广生[3];  王春生[4];  崔双魁[5]
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