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低温等离子体放电区长度对点火起爆的影响 期刊论文
航空动力学报, 2016
郭晓晶; 郑殿峰; 于勇; 张会强
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LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2015, 卷号: 第6期, 页码: 572-578
作者:  鄢永明;  曾云;  夏宇;  张国梁
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静电放电保护用可控硅结构 专利
专利号: CN201120417128.X, 申请日期: 2012-08-15,
作者:  韩郑生;  罗家俊;  李多力;  毕津顺;  曾传滨
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封离式CO2激光管 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: ZL89215596.5, 申请日期: 1990-11-28, 公开日期: 2011-07-14, 2011-07-15
胡文富; 吴怀英; 陈杏凤
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