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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2004 李冰寒   收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/03/06 器件研究:5515  材料生长:5412  量子阱结构:2950  应变量子阱:2655  GaAs:2332  集电结:2272  GaSb:2272  AlGaInP:1893  欧姆接触:1812  峰值波长:1375