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福建物质结构研究所 [1]
新疆理化技术研究所 [1]
半导体研究所 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
学位论文 [3]
专利 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2013 [1]
2008 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
相琳琳
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/06/01
第一性原理计算
电子结构性质
单轴应变
II-VI族半导体材料
纳米线
一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法
专利
专利号: CN105226503A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:
王庶民
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/18
非金属掺杂铁酸铋的制备与性能研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013
作者:
王磊
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/06/03
铁酸铋
非金属掺杂
磁性能
光性能
室温固相反应前驱体法
硼-硫化法及其在一维金属硫族化合物纳米材料制备中的应用
学位论文
博士, 福建物质结构研究所: 中国科学院福建物质结构研究所, 2008
黄一枝
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浏览/下载:90/0
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提交时间:2013/05/09
一维金属硫族化合物纳米材料
核/壳异结构
硼-硫化法
原位硫(硒或碲)化硼
模板自牺牲过程
带隙收缩调控
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