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| 基于MnGa/Co2MnSi双层膜的垂直易磁化隧道结设计及制备 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
毛思玮
  收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2017/05/31
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| 含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法 专利
专利号: CN106300014A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
作者: 于春满; 朱海军; 张兴
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 专利
专利号: CN106099643A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
作者: 于春满; 朱海军; 张兴
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| PECVD制备a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多层薄膜的光电特性研究 学位论文
: 河北大学, 2015
作者: 刘宝元[1]
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/21
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| 氮化镓基半导体发光二极管的光电和热学特性研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 程立文
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2012/09/11
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| 博士论文-磁性半导体的第一性原理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 李海铭
收藏 | 浏览/下载：107/0 | 提交时间：2015/10/12
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| 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利号: CN100382347C, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
作者: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 溶胶凝胶法制备ZnO基透明导电薄膜的结晶行为及性能研究 学位论文
博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2007
朱明伟
收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2012/04/10
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| GaN/AlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者: 游达
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/07/11
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| 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 13-16
作者: 韩培德
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/23 |
