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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 学位论文 : 大连理工大学, 2013 作者:  张鑫 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/13 氮化镓外延层  金属有机物化学气相沉积  喷淋头高度  位错密度  原子力显微镜  X射线衍射   喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 期刊论文 发光学报, 2013, 卷号: 34, 页码: 469-473 作者:  柯昀洁;  梁红伟;  申人升;  宋世巍;  夏晓川 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/11 MOCVD  高度调节  InGaN/GaN量子阱   喷淋头高度调节InGaN/GaN量子阱生长及n-AlGaN电子阻挡层的模拟研究 学位论文 : 大连理工大学, 2013 作者:  柯昀洁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/13 喷淋头高度  氮化镓基  量子阱生长  发光二极管  电子阻挡层   喷淋式MOCVD反应器的传质分析及结构设计 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=jmxz201103012&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2011, 2012, 2012 李晖 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/06/19 喷淋式MOCVD反应器  传质  数理分析  结构设计  showerhead MOCVD reactor  mass transport  mathematical analysis  structure design  TK121   喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  Yunjie Ke;  柯昀洁;  梁红伟;  Hongwei Liang;  Rensheng Shen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 化合物半导体  金属有机化学气相沉积  喷淋头高度  量子阱