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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 离子束合成的钇硅化物结构相变研究 期刊论文 材料科学与工艺/Cailiao Kexue yu Gongyi/Material Science and Technology, 2003, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 370-371 作者:  王文武;  姜宁;  谢二庆;  贺德衍 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 钇硅化物  离子注入  固相反应  原位方块电阻测量  In situ sheet resistance  Infrared irradiation  Solid phase reaction   Ion beam synthesis and electrical properties study of yttrium silicide 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报, 2002, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 708-712 作者:  Xie, EQ;  Wang, WW;  Jiang, N;  He, DY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25 yttrium silicide  in-situ sheet resistance  ion implantation   锰硅化物的固相反应生长研究 期刊论文 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 873-876 作者:  谢二庆;  王文武;  姜宁;  贺德衍 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/27 锰硅化物  原位方块电阻测量  固相反应  红外光谱   双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量 期刊论文 半导体学报, 2001 金海岩; 张利春 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 双极晶体管  锗硅基区  禁带变窄量   离子注入C_(60)薄膜的电导率变化 期刊论文 核技术, 1997, 期号: 06 张建国; 崔云龙; 巩金龙; 林森浩; 荣廷文 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/01/23