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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究 期刊论文 《航天器环境工程》, 2018, 卷号: 35, 页码: 462-467 作者:  余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1];  王小强[1] 冯发明[2];  费武雄[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 单粒子效应 大容量SRAM  抗辐射加固 Bulk  CMOS工艺 SOI  CMOS工艺 重离子射程   基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者:  刘丽 收藏  |  浏览/下载：214/0  |  提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅  KFZ加固  单粒子翻转  静态随机存储器  silcon-on-insulator(SOI)  radiation hardness  sigle event upset(SEU)  static random access memory(SRAM)