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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/05/06
一种天文观测系统中可扩展动态范围的增益自适应变换电路及方法 专利
专利号: CN202010425252.4, 申请日期: 2020-05-19, 公开日期: 2020-09-04
作者:  张健;  许哲;  赵燕;  李爱玲
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/11/17
SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:  姬庆刚
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/11/21
质子转移反应飞行时间质谱的建立与性能研究 期刊论文
大气与环境光学学报, 2019, 卷号: 014
作者:  梁渠;  张亚婷;  张强领;  邹雪;  陈美玲
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/11/23
双栅结构对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管电学性能的改进 其他
2014-01-01
贺鑫; 邓伟; 肖祥; 王龙彦; 张乐陶; 张盛东
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者:  卢健;  余学峰;  郑齐文;  崔江维;  胥佳灵
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/11/06
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者:  卢健;  余学峰;  郑齐文;  崔江维;  胥佳灵
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2013/11/06
部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
作者:  李明;  余学峰;  薛耀国;  卢健;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29
面向Cache失效容忍的多核处理器DVFS方法 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  赵利
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/06/09

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