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| 准分子激光线形光束晶化非晶硅薄膜 期刊论文
量子电子学报, 2019, 卷号: 036
作者: 尹广玥; 游利兵; 陈星; 邵景珍; 陈亮
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/11/25
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| 用于低温多晶硅制备的线光束整形系统 期刊论文
中国激光, 2017, 卷号: 44
作者: 尹广玥; 游利兵; 王庆胜; 褚状状; 陈亮
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/11/23
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| 氧化锌薄膜的准分子激光退火热效应模拟分析 期刊论文
激光与光电子学进展, 2017, 卷号: 54
作者:
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/11/25
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| 用于平板显示 LTPS制备的 ELA光束整形系统 期刊论文
激光技术, 2016, 卷号: 040
作者: 尹广玥; 游利兵; 方晓东
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/11/25
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| 非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究 期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 044
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收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/10/26
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| 采用准分子激光退火的室温沉积ITiO薄膜的性能研究 (EI收录) 期刊论文
《功能材料》, 2013, 卷号: 44, 页码: 3146-3148
作者: 沈奕[1,2]; 姚若河[1]
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/04/25
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| 0.73 J脉冲能量KrF准分子激光器的特性 期刊论文
强激光与粒子束, 2013, 卷号: 025
作者: 赵家敏; 游利兵; 余吟山; 方晓东
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/11/23
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| 一种用于半导体制造的激光退火设备及退火工艺 专利
专利号: CN101459057A, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 2009-06-17
作者: 严利人; 周卫; 刘朋; 刘志弘; 窦维治
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
韩根全; 曾玉刚; 余金中
收藏 | 浏览/下载：60/0 | 提交时间：2009/06/11 |
| D-UHV/CVD 外延生长SiGe和ArF准分子激光退火制备量子点的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
曾玉刚
收藏 | 浏览/下载：121/44 | 提交时间：2009/04/13 |
