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浏览/检索结果: 共95条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1997    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structures of T-shaped quantum wires 期刊论文 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 371-374 Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 New aspects of K promoted nitridation of the InP(100) surface 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1997, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 374-376 Huang L; Zhao TX; Duan YW; Wang XP; Lu ED; Xu PS; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 ALKALI-METAL   Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 242-245 Ren GB; Dewsnip DJ; Lacklison DE; Orton JW; Cheng TS; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 donor acceptor pair  GaN  molecular beam epitaxy  photoluminescence  shallow acceptor  GAAS  LUMINESCENCE  CD   Characteristics of InAs epilayers for Hall effect devices grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 179, 期号: 0, 页码: 658-660 Wang HM; Zeng YP; Fan TW; Zhou HW; Pan D; Dong JR; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Microcrystalline silicon films and tandem solar cells prepared by triode PECVD 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 1997, 卷号: 49, 期号: 0, 页码: 171-177 Liao XB; Sheng SR; Yun F; Ma ZX; Kong GL; Zhao YW; He SQ; Li ZM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 microcrystalline silicon films  tandem solar cells  PECVD   低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 654 周凯明; 李江; 李乙钢; 郭儒; 张光寅; 潘士宏; 李瑞钢; 朱战平; 梁基本 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Properties of cubic GaN grown by MBE 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221 Brandt O; Yang H; Mullhauser JR; Trampert A; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 cubic gallium arsenide film  molecular beam epitaxy  photoluminescence  transmission electron microscopy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS   Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300 Pan D; Zeng YP; Wu J; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 MBE growth  strained superlattice  EPITAXIAL MULTILAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  LAYERS  RELAXATION  DEFECTS  STRAIN  FILMS   Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics  GAS-SOURCE MBE  SI2H6  SEGREGATION  DEPENDENCE  KINETICS  FILMS   Intersubband absorption from In0.26Ga0.74As/GaAs quantum dot superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 760-764 Pan D; Zeng YP; Li JM; Zhang CH; Kong MY; Wang HM; Wang CY; Wu J 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum dot  intersubband absorption  quantum dot infrared photodetector  WELL INFRARED PHOTODETECTORS  PHONON-SCATTERING  LUMINESCENCE  GAAS(100)